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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0970813 (1997-11-14) |
우선권정보 | JP-0211881 (1995-08-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 12 |
This invention provides a silicon nitride circuit board in which a metal circuit plate is bonded to a high thermal conductive silicon nitride substrate having a thermal conductivity of not less than 60 W/m K, wherein a thickness D.sub.s of the high thermal conductive silicon nitride substrate and a
[ What is claimed is:] [1.] A silicon nitride circuit board comprising:a high thermal conductive silicon nitride substrate having a thermal conductivity of at least 60 W/m K; anda circuit layer integrally bonded to said high thermal conductive silicon nitride substrate, wherein a maximum deflection
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