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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0231689 (1999-01-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 8 |
The present invention relates to a novel planar technology approach utilizing ion implantation to improve the fabrication procedure for manufacturing nitride light-emitting and laser diodes. The simplified processing significantly reduces the costs of manufacturing these devices and allows flip-chip
[ I claim:] [1.] A method for producing a semiconductor device suitable for use as a light-emitting diode or laser diode comprisinga. providing a transparent substrate capable of supporting single crystal nitride growth having disposed sequentially thereon:a first layer of an n-type doped first nitr
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