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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0166157 (1998-10-05) |
우선권정보 | JP-0154177 (1994-06-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 162 인용 특허 : 16 |
There is provided a combination of doping process and use of side walls which allows the source and drain of a thin film transistor of an active matrix circuit to be doped with only one of N-type and P-type impurities and which allows the source and drain of a thin film transistor used in a peripher
[ I claim:] [3.] A semiconductor device comprising at least an active matrix region and a peripheral circuit,(a) said active matrix region comprising:a semiconductor island formed over a substrate;at least first and second thin film transistors formed with said semiconductor island, each of which in
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