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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0046594 (1998-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 10 |
A method of manufacturing a raised source/drain semiconductor device is disclosed. When the shallow junction technique is applied, over etching of the source/drain regions during contact etching and salicide processing will lead to current leakage. The invention provides a method which comprises dep
[ What is claimedis:] [1.] A method of forming a semiconductor device containing raised doped regions comprising the steps of:a) receiving a semiconductor substrate comprising isolation structures, at least one stack gate structures, a plurality of side-wall spacers, and source/drain regions;b) form
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