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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0670909 (1996-06-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 2 |
Bulk crystalline materials are annealed by introducing into them mechanical energy of sufficient intensity to create a large amplitude sound wave. The mechanical energy may be introduced into the material, for example, by laser ablation. Where the bulk crystalline material is a doped semiconductor,
[ What is claimed is:] [1.] A method of mechanically annealing and electrically activating a volume of a crystalline semiconductor doped by implantation, comprising the step of forming an ablation plasma on a surface of said doped crystalline semiconductor by focusing energy onto a spot on said surf
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