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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0806646 (1997-02-26) |
우선권정보 | JP-0197914 (1994-07-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 3 |
A light-emitting semiconductor device (10) consecutively includes a sapphire substrate (1), an AlN buffer layer (2), a silicon (Si) doped GaN n.sup.+ -layer (3) of high carrier (n-type) concentration, a Si-doped (Al.sub.x3 Ga.sub.1-x3).sub.y3 In.sub.1-y3 N n.sup.+ -layer (4) of high carrier (n-type)
[ What is claimed is:] [1.] A light-emitting semiconductor device of group III nitride compound comprising:an n-layer of n-type conduction comprising gallium nitride GaN;an emission layer of gallium indium nitride satisfying the formula Al.sub.x1 Ga.sub.y1 In.sub.1-x1-y1 N (0.ltoreq.x1.ltoreq.1, 0.l
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