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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0144118 (1998-08-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 65 |
The present invention is a semiconductor pressure sensor. In one embodiment, the semiconductor pressure sensor includes a diaphragm having a first thickness and at least cone raised boss that is coupled to a first side of the diaphragm. The at least one raised boss increases the diaphragm thickness
[ What is claimed is:] [1.] A pressure sensor, comprising:a semiconductor diaphragm including a first side and a second side, and having a first thickness;a raised boss coupled to the first side of the diaphragm along an axis that divides the diaphragm into first and second portions, said raised bos
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