[특허]Method of nitriding silicon

Eaton Corporation

Method of nitriding silicon

국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C01B-021/068 C01B-021/06
출원번호	US-0270613 (1994-07-05)
발명자 / 주소	Edler James P.
출원인 / 주소	Eaton Corporation
대리인 / 주소	Uthoff, Jr.
인용정보	피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 28

초록 ▼

A process for nitriding materials containing silicon to form a silicon nitride material predominantly in the alpha phase is disclosed which includes nitriding the silicon-containing material by (a) heating the silicon-containing material in an atmosphere containing at least hydrogen in the temperature range of about 0.degree. C. to about 800.degree. C. and (b) thereafter, nitriding the silicon-containing material by subjecting the silicon-containing material to a nitriding atmosphere containing at least nitrogen gas in the temperature range of from about 1000.degree. C. to about 1450.degree. C. to effect nitriding.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A process for nitriding a silicon-containing material, comprising:(a) first heating the silicon-containing material in an atmosphere containing at least about 25 mole percent hydrogen in a first temperature range from about 200.degree. C. to about 800.degree. C. and(b) thereafter, separately nitriding the silicon-containing material by subjecting the silicon-containing material to a nitriding atmosphere in a second temperature range from about 1000.degree. C. to about 1450.degree. C. to effect nitriding, said nitriding atmosphere containing at least nitrogen gas.

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