최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0249262 (1999-02-12) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 199 인용 특허 : 6 |
A method is disclosed for forming inlaid copper interconnects in an insulating layer without the normally expected dishing that occurs after chemical-mechanical polishing of the excess copper. This is accomplished by forming a conformal blanket barrier layer over a substrate including a composite gr
[ What is claimed is:] [1.] A method of improving chemical-mechanical polishing (CMP) dishing comprising the steps of:providing a semiconductor substrate having a substructure comprising devices formed in said substrate and a metal layer formed thereon;forming a lower level dielectric (LLD) layer ov
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.