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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C07D-025/504 C06B-025/34 |
미국특허분류(USC) | 540/554 ; 540/556 ; 149/092 |
출원번호 | US-0071022 (1998-05-01) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
Processes and compositions for nitration of N-substituted isowurtzitane compounds with concentrated nitric acid at elevated temperatures to form HNIW and recovery of gamma HNIW with high yields and purities. Polymorphic conversion of HNIW crystals to epsilon HNIW crystals is also disclosed.
[ We claim:] [1.] ) A process for the preparation of hexanitrohexaazaisowurtzitane (HNIW) through the nitration of N-substituted,hexazaisowurtzitane (NHISW) with concentrated nitric acid by the steps of: (a) forming a solution consisting essentially of an NHISW and the concentrated nitric acid, and (b) heating the solution and maintaining the solution at a temperature of at least about 75 degrees C. for a time sufficient to produce a solid product containing HNIW.