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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0175505 (1998-10-20) |
우선권정보 | JP-0044492 (1996-03-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 11 |
The method for forming a semiconductor microstructure of this invention includes the steps of: forming a mask pattern having a first opening and a second opening on a substrate having a semiconductor layer as an upper portion thereof; and selectively etching the semiconductor layer using the mask pa
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device comprising:a double barrier structure including a silicon thin plate having side walls and extending in a first direction, and a pair of first oxide films formed on the side walls of the silicon thin plate; anda second oxide film formed to cover the
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