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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C04B-035/565 C04B-035/52 |
미국특허분류(USC) | 501/095.1 ; 501/088 ; 501/096.3 ; 423/345 ; 264/DIG.19 |
출원번호 | US-0082945 (1998-05-21) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 15 |
Silicon carbide (SiC) fibers, or SiC bodies such as coatings, thin films, substrates or bulk objects, which have been sintered with boron containing additives to promote densification and pore removal, are further treated to remove a substantial amount of the residual boron from the SiC fibers. The SiC fibers, subsequent to the sintering steps and either before or after cooling, are exposed to a carbon monoxide (CO) containing atmosphere at elevated temperatures from approximately 1600-2200.degree. C., but more preferably from approximately 1700-2000.deg...
[ I claim:] [1.] A post-densification process for reducing the boron content of densified silicon carbide fibers, said fibers having been produced by a process chosen from the group of processes consisting of sintering, vapor-phase deposition and heat treatment of organosilicon polymers, comprising the steps of providing densified silicon carbide fibers containing residual boron, said boron having been originally incorporated in the fibers as a densification aid, and subsequently, at a temperature within the range of approximately 1600 to 2200.degree. C....