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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0295892 (1999-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 6 |
A via is formed in a semiconductor device using a self-aligned copper-based pillar to connect upper and lower copper interconnect layers separated by a dielectric. The lower interconnect layer is formed on an underlying layer. The copper-based via pillar is formed on the lower interconnect layer. Th
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a conductive via between a lower interconnect layer and an upper interconnect layer in a semiconductor device structure, the method comprising:forming a conductive lower diffusion barrier layer on an underlying layer as part of the semiconductor device
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