[특허]Luminescent semiconductor device with antidiffusion layer on active layer surface

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Luminescent semiconductor device with antidiffusion layer on active layer surface 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-033/00
출원번호	US-0987105 (1997-12-08)
우선권정보	JP-0358289 (1996-12-30)
발명자 / 주소	Noguchi Hiroyasu,JPX Nakano Kazushi,JPX Ishibashi Akira,JPX Toda Atsushi,JPX Taniguchi Satoshi,JPX Hino Tomonori,JPX Kato Eisaku,JPX
출원인 / 주소	Sony Corporation, JPX
대리인 / 주소	Hill & Simpson
인용정보	피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1

초록 ▼

A luminescent semiconductor device comprises: an active layer composed of a Group II-VI semiconductor device which comprises at least one Group II element selected from the group consisting of zinc, magnesium, beryllium, cadmium, manganese and mercury, and at least one Group VI element selected from the group consisting of oxygen, sulfur, selenium and tellurium. the Group II-VI compound semiconductor forming said active layer contains at least one element selected from the group consisting of magnesium, beryllium and cadmium as the Group II element and tellurium as the Group VI element. At least one antidiffusion layer preventing diffusion of these elements from the active layer is provided on at least one surface of the active layer.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A luminescent semiconductor device comprising:an active layer comprising a Group II-VI semiconductor device comprising at least one Group II element selected from the group consisting of zinc, magnesium, beryllium, cadmium, manganese and mercury, and at least one Group VI element selected from the group consisting of oxygen, sulfur, selenium and tellurium; and at least one antidiffusion layer preventing diffusion of these elements from said active layer, said antidiffusion layer being provided on at least one surface of said active layer.

이 특허에 인용된 특허 (1)

Yamamoto Masahiro,JPX ; Fujimoto Hidetoshi,JPX ; Kokubun Yoshihiro,JPX ; Ishikawa Masayuki,JPX ; Saito Shinji,JPX ; Nishikawa Yukie,JPX ; Rennie John,JPX, Semiconductor optoelectric device and method of manufacturing the same.
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이 특허를 인용한 특허 (5)

Kishino, Katsumi; Nomura, Ichiro; Che, Song-Bek; Sato, Kenji, II-VI compound semiconductor crystal.
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Kishino,Katsumi; Nomura,Ichiro; Che,Song Bek; Sato,Kenji, II-VI compound semiconductor crystal and photoelectric conversion device.
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Faschinger, deceased,Wolfgang, Light-emitting semiconductor component having layers predominantly containing elements of periodic table group II and VI.
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Sandhu, Gurtej; Derderian, Garo J., Semiconductor device with novel film composition.
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Sandhu, Gurtej; Derderian, Garo J., Semiconductor device with novel film composition.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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