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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0145465 (1998-09-02) |
우선권정보 | JP-0237167 (1997-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
In a method of manufacturing a semiconductor device which includes a quartz substrate having a z-cut plane of (0001) plane on a surface, a GaN film is first deposited on the surface. Finally, the quartz substrate is removed from the GaN film. The removed GaN film is used as a real substrate for form
[ What is claimed is:] [1.] A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:preparing a quartz substrate which has a z-cut plane on a surface thereof;depositing a GaN film on the surface; andremoving said quartz substrate from said GaN film.
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