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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0063357 (1998-04-21) |
우선권정보 | JP-0111557 (1997-04-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0 |
On a top surface of a substrate, a first and a second electrode are formed. A p-type semiconductor film is formed over substantially the entire exposed area on the top surface of the substrate and over the first electrode. An n-type semiconductor film is also formed over substantially the entire sur
[ What is claimed is:] [1.] A thermoelectric device for performing thermoelectric conversion in a wide-area thereof, comprising:a p-type semiconductor film;an n-type semiconductor film; anda substrate of electrical insulating material,wherein said p-type and n-type semiconductor films are formed so
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