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High purity titanium sputtering target and method of making 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C22F-001/18
출원번호 US-0911539 (1997-08-14)
발명자 / 주소
  • Annavarapu Suresh
출원인 / 주소
  • Praxair S. T. Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Wood, Herron & Evans L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 11

초록

A high purity titanium polycrystalline target with uniform grain size and near ideal (103) crystallographic orientation and a method of making. Uniform grain size from 10 .mu.m-500 .mu.m is achieved by using a fine grain five inch diameter titanium billet produced by hot working an electron beam cas

대표청구항

[ Having described the invention, what is claimed is:] [1.] A method of making a titanium sputtering target comprisingsubjecting a titanium billet having the following crystollographic orientation of grains: 0-25% (100), <5% (002) 15-20% (101), <10% (102),20-70% (110), <5% (103) and 5-30% (112), to

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Pouliquen Benoit (Spokane WA), Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same.
  2. Demaray R. Ernest (Oakland CA) Hoffman Vance E. (Los Altos CA) Helmer John C. (Menlo Park CA) Park Young H. (San Ramon CA) Cochran Ronald R. (Mountain View CA), Collimated deposition apparatus and method.
  3. Ghanbari Abe (W. Nyack NY) Ameen Michael (Cornwall NY), Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer.
  4. Sawada Susumu,JPX ; Fukuyo Hideaki,JPX ; Nagasawa Masaru,JPX, High purity titanium sputtering targets.
  5. Maeda Keiichi (Kanagawa JPX), Interconnect for semiconductor devices and method for fabricating same.
  6. Maeda Keiichi (Kanagawa JPX), Method for fabricating an interconnect for semiconductor devices using (111) crystal plane orientation.
  7. Uedaira Satoru (Kanagawa JPX) Suzuki Masayuki (Kanagawa JPX) Yamanoi Hiroshi (Kanagawa JPX) Tamura Hidemasa (Kanagawa JPX), Method for manufacturing fine lead titanate powders.
  8. Ryan James G. (Essex Junction VT) Strippe David C. (Waterbury Center VT) Vollmer Bernd M. (Wappingers Falls NY), Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures under high temperature conditions.
  9. Lee Pei-Ing P. (32 Stirrup Cir. Williston VT 05495) Licata Thomas J. (161 Austin Dr. #1 Burlington VT 05401) McDevitt Thomas L. (R.R. #2 ; Box 3230 Underhill VT 05489) Parries Paul C. (32 Tanglewood , Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures using a collimator.
  10. Oikawa Hideo (Atsugi JPX) Amazawa Takao (Atsugi JPX) Honma Nakahachiro (Musashino JPX) Miyazaki Hideo (Toda JPX) Kyono Iwao (Toda JPX) Mori Nobuyuki (Tokyo JPX) Katoh Yoshiharu (Toda JPX) Kuroki Masa, Process for producing high-purity metal targets for LSI electrodes.
  11. Murata Hideo,JPX ; Taniguchi Shigeru,JPX, Titanium target for sputtering and production method for same.

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Litwinski, Edward; Keener, Steven G., Method and apparatus for producing a refined grain structure.
  2. Keener, Steven G.; Litwinski, Edward, Method for preparing ultra-fine grain titanium and titanium-alloy articles and articles prepared thereby.
  3. Pitcher, Philip George; Yan, Zhihua, Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations.
  4. Hukushima, Atsushi, Sputtering target and manufacturing method thereof.
  5. Weigert, Martin; Konietzka, Uwe, Sputtering target for depositing silicon layers in their nitride or oxide form and a process for its preparation.
  6. Nakashima, Nobuaki; Sano, Takashi, Sputtering target, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor element.
  7. Fukuyo, Hideaki; Shindo, Yuichiro; Takahashi, Hideyuki, Titanium target for sputtering.
  8. Yoshikawa, Jun; Yamaguchi, Hirofumi; Nanataki, Tsutomu, Zinc oxide sputtering target.
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