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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0344402 (1999-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 77 인용 특허 : 17 |
Form a dielectric layer on a surface of a conductive substrate with a trench through the top surface down to the substrate. Form a barrier layer over the dielectric layer including the exposed surface of the conductive substrate and the exposed sidewalls of the dielectric layer. Form a copper conduc
[ What is claimed is as follows:] [1.] A method of forming a device on a surface of a conductive substrate comprising:forming a dielectric layer over said surface, said dielectric layer having a top level;forming a trench with sidewalls through said dielectric layer to expose a portion of said surfa
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