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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0969648 (1997-11-13) |
우선권정보 | JP-0085989 (1995-03-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 1 |
A semiconductor device includes a substrate, an insulation film formed above the substrate and containing silicon-fluorine bonds, and a titanium-based metal wiring layer formed on the insulation film, the titanium-based metal wiring layer containing fluorine which is diffused from the insulation fil
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device, comprising:a substrate having a first region and a second region;an insulation film formed on said substrate and containing silicon-fluorine bonds;a titanium-based metal wiring layer formed on said insulation film, said titanium-based metal wiring
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