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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0957480 (1997-10-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 132 인용 특허 : 18 |
Intermetal dielectric (IMD) and interlevel dielectric (ILD) that have dielectric constants (K) ranging from 2.0 to 2.6 are prepared from plasma or photon assisted CVD (PACVD) or transport polymerization (TP). The low K dielectric (LKD) materials are prepared from PACVD or TP of some selected siloxan
[ What is claimed is:] [1.] A method for optimizing the deposition of a mixture of siloxanes and fluorinated aromatic polymers by controlling at least one of the power level of a reactor, the gas flow rates to the reactor, the vacuum pressure inside the reactor and the mixture of siloxanes and fluor
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