최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0008002 (1998-01-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 19 |
A gas generant wafer design having a channel region integrally formed into one or both of its sides or faces. Characteristic of the wafer is that the geometric design of the wafer is improved by increasing its cross-section in the same manner that an "I-Beam" increases the structural characteristic
[ What is claimed is:] [1.] A gas generant body of gas releasing material in the form of a disc having inner and outer edges and with top and bottom surfaces extending between said inner and outer edges, said top and bottom surfaces having a channel formed therein, wherein said channel is aligned to
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.