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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0105956 (1998-06-29) |
우선권정보 | JP-0366810 (1997-12-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 172 인용 특허 : 4 |
A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first film and a second film on a semiconductor substrate, selectively removing the second film, the first film and a top portion of the semiconductor substrate to form a first groove, burying a first insulator film in
[ We claim:] [1.] A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of:forming a first film and a second film on a semiconductor substrate;selectively removing said second film, said first film and a top portion of said semiconductor substrate to form a first groove;burying a fir
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