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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0910334 (1997-08-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 1 |
Sputtering targets are cryogenically annealed to provide a uniformly dense molecular structure by placing the target in a temperature-controlled cryogenic chamber and cooling the chamber to a cryogenic temperature at a controlled rate. The target is maintained at a cryogenic temperature to cryogenic
[ What is claimed is:] [1.] A method for cryogenically annealing a sputtering target to provide a uniformly dense molecular target structure comprisingplacing a sputtering target having internal and external stresses in a temperature-controlled cryogenic chamber,cooling said chamber with a liquified
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