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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0801819 (1997-02-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 4 |
The present invention comprises a metallization method that forms a three-level interconnect in an electrical circuit. The method comprises providing a substrate assembly and depositing thereon a first dielectric layer thereover. A second dielectric layer is then deposited over the first dielectric
[ What is claimed and desired to be secured by United States Letters Patent is:] [1.] A method of forming an interconnect structure comprising:forming a first dielectric layer upon a substrate assembly;forming a second dielectric layer upon said first dielectric layer;forming a first recess extendin
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