$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Fabrication of silicides by excimer laser annealing of amorphous silicon

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/44
출원번호 US-0022070 (1998-02-11)
발명자 / 주소
  • Essaian Stepan
  • Naem Abdalla,BEX
출원인 / 주소
  • National Semiconductor Corporation
대리인 / 주소
    Limbach & Limbach L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 19  인용 특허 : 7

초록

Stable suicides are formed utilizing excimer laser crystallization in place of a conventional second high temperature rapid thermal processing annealing step. Specifically, thermally unstable silicide having a metal-rich surface layer is conventionally formed utilizing deposition of refractory metal

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of forming thermally stable silicide comprising the steps of:forming over a silicon surface a layer of thermally unstable silicide having a surface layer containing a refractory metal;forming a film of amorphous silicon over the thermally unstable silicide;applyi

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Maegawa Shigeki,JPX ; Furuta Mamoru,JPX ; Tsutsu Hiroshi,JPX ; Kawamura Tetsuya,JPX ; Miyata Yutaka,JPX, Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor.
  2. Yamazaki Shunpei,JPX ; Kusumoto Naoto,JPX ; Teramoto Satoshi,JPX, Method for producing semiconductor device.
  3. Zhang Hongyong (Kanagawa JPX) Teramoto Satoshi (Kanagawa JPX), Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous s.
  4. Ohtani Hisashi,JPX ; Miyanaga Akiharu,JPX ; Takeyama Junichi,JPX, Method of manufacturing a semiconductor device.
  5. Dehm Christine ; Stengl Reinhard J.,DEX ; Timme Hans-Joerg,DEX, Prevention of abnormal WSi.sub.x oxidation by in-situ amorphous silicon deposition.
  6. Zhang Hongyong,JPX ; Uochi Hideki,JPX ; Takayama Toru,JPX ; Yamazaki Shunpei,JPX ; Takemura Yasuhiko,JPX, Process for fabricating a thin film transistor semiconductor device.
  7. Yamazaki Shunpei,JPX ; Takemura Yasuhiko,JPX ; Zhang Hongyong,JPX ; Takayama Toru,JPX ; Uochi Hideki,JPX, Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same.

이 특허를 인용한 특허 (19)

  1. Kim, Sung Ki; Lee, Hong Koo, Array substrate for flat display device and method for fabricating the same.
  2. Tanaka,Koichiro, Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device.
  3. Manuel,Mark; Kirkum,Christopher Dean; Racklyeft,Robert, Method and apparatus for the creation of a tool.
  4. Manuel,Mark; Kirkum,Christopher Dean; Racklyeft,Robert, Method and apparatus for the creation of a tool.
  5. Manuel,Mark, Method for building a tool.
  6. Greaves,Thomas Nelson, Method for forming a tangible item and a tangible item formed by the method.
  7. Manuel,Mark, Method for producing a tool.
  8. Somit Talwar ; Yun Wang, Method of forming a silicide region in a Si substrate and a device having same.
  9. Talwar Somit ; Wang Yun, Method of forming a silicide region in a Si substrate and a device having same.
  10. Jain, Amitabh, Method of forming amorphous source/drain extensions.
  11. Chong, Yung Fu; Cha, Randall; Pey, Kin Leong, Salicide method for producing a semiconductor device using silicon/amorphous silicon/metal structure.
  12. Kang,Sung Kwan; Lee,Jong Wook; Son,Yong Hoon; Shin,Yu Gyun; Lee,Jun Ho, Semiconductor device and method of manufacturing the same.
  13. Jain,Amitabh, Source/drain extensions having highly activated and extremely abrupt junctions.
  14. Manuel,Mark; Greaves,Thomas N., System and a method for cooling a tool.
  15. Press, Patrick; Romero, Karla; Trentzsch, Martin; Wieczorek, Karsten; Feudel, Thomas; Lenski, Markus; Stephan, Rolf, Technique for locally adapting transistor characteristics by using advanced laser/flash anneal techniques.
  16. Manuel,Mark, Tool and a method for creating a tool.
  17. Manuel,Mark; Greaves,Thomas N., Tool and a method for creating the tool.
  18. Manuel,Mark; Greaves,Thomas N., Tool and a method for making a tool.
  19. Manuel, Mark, Tool having an ejection assembly, a method for making such a tool, and a method for ejecting a formed object from a tool.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트