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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0022070 (1998-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 7 |
Stable suicides are formed utilizing excimer laser crystallization in place of a conventional second high temperature rapid thermal processing annealing step. Specifically, thermally unstable silicide having a metal-rich surface layer is conventionally formed utilizing deposition of refractory metal
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming thermally stable silicide comprising the steps of:forming over a silicon surface a layer of thermally unstable silicide having a surface layer containing a refractory metal;forming a film of amorphous silicon over the thermally unstable silicide;applyi
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