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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0080600 (1998-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 9 |
A circuit, for detecting a junction temperature of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) which is alternately biased on and off in response to a gate signal, includes a differentiator circuit operable to receive a collector to emitter voltage of the IGBT and produce an output voltage proportio
[ What is claimed is:] [1.] A circuit for detecting a junction temperature of an insulated gate bipolar transistor (IGBT), the IGBT being alternately biased on and off in response to a gate signal to control an amount of output current, the circuit comprising:a differentiator circuit operable to rec
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