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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0387438 (1999-09-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 111 인용 특허 : 4 |
An improved cold cathode emitter based on carbon nanotubes has been developed by inserting into the conventional process an extra step in which the diameter of the gate aperture is temporarily reduced by means of a conformally deposited sacrificial layer. This reduced diameter aperture is then used
[ What is claimed is:] [1.] A process for forming a cold cathode emitter, comprising:providing a substrate and then successively depositing on said substrate a first conducting layer, a catalyst substrate layer, a dielectric layer, and a second conducting layer;patterning and etching the second cond
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