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On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C01B-007/19
출원번호 US-0034004 (1998-03-03)
발명자 / 주소
  • Hoffman Joe G.
  • Clark R. Scot
출원인 / 주소
  • Air Liquide America Corporation
대리인 / 주소
    Burns, Doane, Swecker & Mathis, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 5

초록

A system for purification and generation of hydrofluoric acid on-site at a semiconductor device fabrication facility. An evaporation stage (optionally with arsenic oxidation) is followed by a fractionating column to remove most other impurities, an Ionic Purifier column to suppress contaminants not

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method for purifying hydrogen fluoride, for use in the manufacture of an electronic component, comprising the steps of:(a) providing a flow of hydrogen fluoride vapor comprising a low concentration of arsenic; and(b) introducing said flow of hydrogen fluoride vapor comp

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Lester Joseph E. (Lincoln MA) Folweiler Robert C. (Bedford MA), Method for dehydrating hydrogen fluoride.
  2. Ohmi Tadahiro (Sendai JPX) Miki Nobuhiro (Osaka JPX) Maeno Matagoro (Izumi JPX) Hirayama Ryozi (Sakai JPX), Method of supplying dilute hydrofluoric acid and apparatus for use in this method for supplying the acid.
  3. Grant Donald C. (Excelsior MN), Point-of-use recycling of wafer cleaning substances.
  4. Schabacher Werner (Leverkusen DEX) Spreckelmeyer Bernhard (Johannesburg ZAX), Purifying hydrofluoric acid.
  5. Hard Robert A. (Oley PA), Recovery of metal values from process residues.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Castillo, Iris Samantha Duran; García, Juan Alberto juárez; Robles, Nilo Martínez, Process for purification of hydrofluoric acid including obtaining arsenious acid by-product.
  2. Eschwey Manfred,DEX ; Mainka Gerd,DEX ; Hub Walter,DEX, Production of ready-to-use solutions.
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