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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0034004 (1998-03-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 5 |
A system for purification and generation of hydrofluoric acid on-site at a semiconductor device fabrication facility. An evaporation stage (optionally with arsenic oxidation) is followed by a fractionating column to remove most other impurities, an Ionic Purifier column to suppress contaminants not
[ What is claimed is:] [1.] A method for purifying hydrogen fluoride, for use in the manufacture of an electronic component, comprising the steps of:(a) providing a flow of hydrogen fluoride vapor comprising a low concentration of arsenic; and(b) introducing said flow of hydrogen fluoride vapor comp
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