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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0824512 (1997-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 17 |
Apparatus and method for direct delivery of enabling chemical gas from a liquid source and of HF gas in a hydrogen fluoride/enabling chemical based cleaning or etching process, such as a silicon dioxide film etching process. The liquid enabling chemical is temperature controlled to generate a vapor
[ What is claimed is:] [1.] A process for etching or cleaning a substrate in a process chamber using a gaseous HF/enabling chemical mixture, the process characterized in that both the HF and enabling chemical gases are provided to the process chamber at flow rates which are independently controlled
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