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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0270749 (1999-03-17) |
우선권정보 | JP-0036830 (1999-02-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 97 인용 특허 : 2 |
A method of growing a group III nitride semiconductor crystal layer includes a step of growing a first buffer layer composed of boron phosphide on a silicon single crystal substrate by a vapor phase growth method at a temperature of not lower than 200.degree. C. and not higher than 700.degree. C., a
[ What is claimed is:] [1.] A method of growing a group III nitride semiconductor crystal layer comprising:a step of growing a first buffer layer composed of boron phosphide (composition formula: BP) on a silicon (Si) single crystal substrate by a vapor phase growth method at a temperature of not lo
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