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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C04B-035/565 |
미국특허분류(USC) | 501/095.1 ; 501/088 ; 264/625 ; 264/627 ; 264/682 |
출원번호 | US-0082868 (1998-05-21) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 4 |
A high strength, high creep resistant, boron-doped, silicon carbon fiber having no boron nitride coating, originally formed by sintering, is produced by exposing the fiber to a nitrogen atmosphere at a temperature equal to or preferably elevated above the sintering temperature and also exposing the fiber to a carbon monoxide-containing atmosphere at a temperature sufficient to remove boron and boron nitride. The nitrogen atmosphere step may be performed before or after the carbon monoxide-containing atmosphere step. The resulting, uncoated SiC fibers hav...
[ I claim:] [1.] A method of forming a high strength, high creep resistance, silicon carbide fiber having no boron nitride coating, comprising the steps of:(A) providing a boron-doped, silicon carbide fiber which has been sintered at a sintering temperature to densify the fiber;(B) exposing the fiber to a nitrogen-containing atmosphere at a temperature at least equal to the sintering temperature;(C) exposing the fiber to an atmosphere containing carbon monoxide at a temperature sufficient to remove boron and boron nitride from the fiber.