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Creep-resistant, high-strength silicon carbide fibers 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/565
출원번호 US-0082868 (1998-05-21)
발명자 / 주소
  • Sacks Michael D.
출원인 / 주소
  • University of Florida
대리인 / 주소
    Saitta
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 4

초록

A high strength, high creep resistant, boron-doped, silicon carbon fiber having no boron nitride coating, originally formed by sintering, is produced by exposing the fiber to a nitrogen atmosphere at a temperature equal to or preferably elevated above the sintering temperature and also exposing the

대표청구항

[ I claim:] [1.] A method of forming a high strength, high creep resistance, silicon carbide fiber having no boron nitride coating, comprising the steps of:(A) providing a boron-doped, silicon carbide fiber which has been sintered at a sintering temperature to densify the fiber;(B) exposing the fibe

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Barnard Thomas Duncan ; Nguyen Kimmai Thi ; Rabe James Alan, Continuous method of producing silicon carbide fibers.
  2. Sacks Michael D. ; Toreki William ; Batich Christopher D. ; Choi Guang J.,KRX, Preparation of boron-doped silicon carbide fibers.
  3. Sacks Michael D. ; Toreki William ; Batich Christopher D. ; Choi Guang J.,KRX, Preparation of boron-doped silicon carbide fibers.
  4. Wallace Jay S. (Silver Spring MD) Bender Barry A. (Springfield VA) Schrodt Darla (Columbia MD), Thermochemically treated oligomeric and/or polymeric derived silicon carbide fibers.

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. DiCarlo, James A.; Yun, Hee, Methods for producing silicon carbide architectural preforms.
  2. Okamura,Kiyohito; Narisawa,Masaki; Nishioka,Masaki; Dohmaru,Takaaki; Oka,Kunio; Katoh,Yutai; Kohyama,Akira, Process for producing reinforcing SiC fiber for SiC composite material.
  3. Yamaoka,Hiroyuki; Harada,Yoshikatu; Fujii,Teruaki, Silicon carbide fiber having boron nitride layer in fiber surface and process for the production thereof.
  4. Sacks Michael D., Silicon carbide fibers with boron nitride coatings.
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