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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0137089 (1998-08-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 32 |
Process for making a semiconductor device having a barrier film comprising an extremely thin film formed of one or more monolayers each comprised of a two-dimensional array of metal atoms. In one exemplary aspect, the barrier film is used for preventing the diffusion of atoms of another material, su
[ What is claimed is:] [1.] A process for making a semiconductor device comprising the steps of:depositing, on a surface of a substrate, a precursor comprising a metal halide compound;removing the precursor except for a layer of metal atoms retained as a monolayer immediately adjacent said surface o
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