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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0071519 (1998-05-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 129 인용 특허 : 6 |
A transparent conductive layer is deposited between the electrode and the semiconductor diode to spread the current evenly to the diode and to reduce the series resistance. Tin indium oxide can be used as the transparent conductive layer. The transparent conductive layer is particularly applicable t
[ What is claimed is:] [1.] A light emitting diode, comprising:a transparent insulating substrate;a first conductivity type GaN as a buffer directly over said transparent insulating substrate;a first conductivity type (Al)GaN as a lower cladding layer directly over said first conductivity type GaN;a
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