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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0875703 (1997-11-19) |
국제출원번호 | PCT/FR95/01524 (1995-11-20) |
§371/§102 date | 19971119 (19971119) |
국제공개번호 | WO-9719019 (1997-05-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 2 |
A process for catalytically oxidizing the H.sub.2 S present at low concentration in a gas to sulphur wherein the gas together with a gas containing free oxygen in a quantity to provide and O.sub.2 to H.sub.2 S mole ratio ranging from 0.05 to 10 are contacted with a catalyst for selectively oxidizing
[ What is claimed is:] [1.] A process for catalytically oxidizing the H.sub.2 S present at a low concentration in a gas to sulphur, which comprises subjecting, prior to the oxidation of the H.sub.2 S, a catalyst for selectively oxidizing H.sub.2 S to sulphur comprised of a support based on silicon c
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