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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0129809 (1998-08-06) |
우선권정보 | GB-0016838 (1997-08-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 6 |
A temperature sensing circuit suitable for integration with a power semiconductor device (MOSFET/IGBT) includes temperature-sensing p-n diode means (D1, D2, etc . . . ) integrated together with first and second IGFETs (M1 and M2). A current path through the temperature-sensing p-n diode means (D1, D
[ What is claimed is:] [1.] A temperature sensing circuit comprising a current path through a temperature-sensing p-n diode means to provide a voltage drop across said diode means having a negative temperature coefficient, and first and second transistors of a same insulated gate field effect type a
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