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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0169400 (1998-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 15 |
Bulk, low impurity aluminum nitride:silicon carbide (AlN:SiC) alloy single crystals are grown by deposition of vapor species containing Al, Si, N and C on a crystal growth interface.
[ That which is claimed is:] [1.] A method of producing a bulk single crystal of AlN:SiC alloy comprising:growing an AlN:SiC alloy by depositing vapor species containing Al, N, Si and C on the growth surface of a seed crystal; whileproviding effusion of the growing crystal interface sufficient to gr
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