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특허 상세정보

Chromium nitride film and method for forming the same

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C21D-001/06    C23C-008/24    C23C-008/26   
미국특허분류(USC) 14/8220 ; 14/823.0 ; 14/823.8 ; 14/821.7 ; 14/821.4 ; 42/031.7 ; 42/031.8
출원번호 US-0104352 (1998-06-25)
우선권정보 JP-0182570 (1997-07-08)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Sughrue, Mion, Zinn, Macpeak & Seas, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 3
초록

By forming a Cr playing layer on the surface of a metal and forming a CrN film by nitriding the surface thereof, it is possible to improve the surface hardness, wear resistance, corrosion resistance, etc., of the metal; wherein the nitriding treatment of the Cr plating layer surface is carried out by amethod of heating in a nitrided atmosphere, preferably heated in a nitrided atmosphere which includes an ammonia decomposed gas treated in advance with an ammonia decomposition catalyst as a nitrogen source; in addition it is preferable that before the nitr...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A CrN film characterized in that a Cr plated layer is formed on a surface of a metal, and the surface thereof is nitrided to form a CrN film,wherein a thickness of said CrN film on said Cr plated layer is 1.about.20 .mu.m, and a thickness of said Cr plated layer between said metal and said CrN film is 1.about.50 .mu.m.