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특허 상세정보

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Integrated infrared detection system

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-029/225    H01L-031/0296    H01L-031/0336    H01L-031/105   
미국특허분류(USC) 25/7442 ; 25/718.8 ; 25/719.1 ; 25/707.8 ; 25/720.1
출원번호 US-0831815 (1997-04-02)
발명자 / 주소
  • Chandra Dipankar
  • Weirauch Donald F.
  • Penn Thomas C.
출원인 / 주소
  • Raytheon Company
대리인 / 주소
    Baker Botts L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 25
초록
▼

This is an integral IR detector system with at least two epitaxial HgCdTe sensors on integrated silicon or GaAs circuitry and also a method of fabricating such system. The system can comprise: a) integrated silicon or GaAs circuitry 110; b) an epitaxial lattice-match layer (e.g. ZnSe 114) on a top surface of the circuit; c) an epitaxial insulating layer (e.g. CdTe 102) on the lattice-match layer; and d) at least two epitaxial HgCdTe sensors 101,121 on the insulating layer, with the HgCdTe sensors being electrically connected to the circuitry. Preferably,...

대표
청구항

[ We claim:] [1.] An integral IR detector system, said system comprising:integrated silicon or GaAs circuitry;an epitaxial lattice-match layer on a top surface of said circuitry;an epitaxial insulating layer on said lattice-match layer;at least two epitaxial HgCdTe sensors on said insulating layer, said HgCdTe sensors being electrically connected to said circuitry;an IR transparent, spacer layer on said HgCdTe sensors; andan HgCdTe filter on said spacer layer.

이 특허에 인용된 특허 (25)

  1. Ebe Hiroji (Kawasaki JPX) Sawada Akira (Kawasaki JPX), (111) Group II-VI epitaxial layer grown on (111) silicon substrate.
  2. McKee Richard C. (Glenwood MD) Thompson Leslie L. (Bowie MD) Eden Dayton D. (Dallas TX) Case William E. (Arlington TX) Schimert Thomas R. (Grand Prairie TX), Back surface illuminated infrared detector.
  3. Harris Karl A. (Liverpool NY) Myers ; II Thomas H. (Westover WV) Yanka Robert W. (Liverpool NY), CDTE x-ray detector for use at room temperature.
  4. Huang Chao (Goleta CA) Norton Paul R. (Santa Barbara CA), Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions.
  5. Axmark Roger E. (Bloomington MN) Satren Ernest A. (Bloomington MN), Dual detector flame sensor.
  6. Kern Mark T. (Goleta CA) Shamordola Kenneth A. (Santa Barbara CA), Dual spectrum frequency responding fire sensor.
  7. Kern Mark T. (Goleta CA) Shamordola Kenneth A. (Santa Barbara CA), Dual spectrum frequency responding fire sensor.
  8. Kern Mark T. (Goleta CA) Cinzori Robert J. (Santa Barbara CA), Dual spectrum infrared fire sensor.
  9. Kosai Kenneth (Goleta CA) Chapman George R. (Goleta CA), Dual-band infrared radiation detector optimized for fabrication in compositionally graded HgCdTe.
  10. Osbourn Gordon C. (Albuquerque NM), Electro-optical SLS devices for operating at new wavelength ranges.
  11. Rosbeck Joseph P. (Goleta CA) Kasai Ichiro (Santa Barbara CA), Graded gap inversion layer photodiode array.
  12. Norton Paul R. (Santa Barbara CA), Integrated IR and visible detector.
  13. Kosai Kenneth (Goleta CA) Wilson Jerry A. (Goleta CA) Baumgratz Bonnie A. (Goleta CA), Integrated LPE-grown structure for simultaneous detection of infrared radiation in two bands.
  14. Bartoli Filbert J. (Upper Marlboro MD) Hoffman Craig A. (Columbia MD) Meyer Jerry R. (Catonsville MD) Lindle James R. (Bowie MD), Laser hardened backside illuminated optical detector.
  15. Zanio Ken (El Toro CA) Bean Ross C. (Santa Ana CA), Manufacture of monolithic infrared focal plane arrays.
  16. Chandra Dipankar ; Weirauch Donald F. ; Penn Thomas C., Mercury cadmium telluride infrared filters and detectors and methods of fabrication.
  17. Norton Paul R. (Santa Barbara CA), Method of fabricating a two-color detector using LPE crystal growth.
  18. Wang Cheng-Chi (Westlake Village) Liu Yet-Zen (Westlake Village) Chu Muren (Thousand Oaks CA), Method of making an infrared detector.
  19. Kern Mark T. (Goleta CA) Cinzori Robert J. (Santa Barbara CA), Microprocessor-controlled fire sensor.
  20. Hamilton ; Jr. William J. (Ventura CA) Johnson Scott M. (Santa Barbara CA) Ahlgren William L. (Goleta CA), Multilayer buffer structure including II-VI compounds on a silicon substrate.
  21. Baker Ian M. (Romsey GB2) Dunn William A. E. (Nomanshand GB2), Plural-wavelength infrared detector devices.
  22. Castro Carlos A. (Garland TX), Process for forming semiconductor alloys having a desired bandgap.
  23. Rhiger David R. (Santa Barbara CA), Semiconductor gamma ray detector including compositionally graded, leakage current blocking potential barrier layers and.
  24. Kawano Masaya (Tokyo JPX), Si base substrate covered by a CdTe or Cd-rich CdZnTe layer.
  25. Lear Kevin L. (Albuquerque NM), Unitary lens semiconductor device.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Claiborne, Lewis T.; Mitra, Pradip, Diffraction grating coupled infrared photodetector.
  2. Claiborne, Lewis T.; Mitra, Pradip, Diffraction grating coupled infrared photodetector.
  3. Lee, Vincent Wing-Ho; Kymissis, Ioannis, Direct bandgap substrates and methods of making and using.
  4. Lee, Vincent Wing-Ho; Kymissis, Ioannis, Direct bandgap substrates and methods of making and using.
  5. Lee, Vincent Wing-Ho; Kymissis, Ioannis, Direct bandgap substrates and methods of making and using.
  6. Augusto,Carlos J.R.P.; Forester,Lynn, Method of fabricating heterojunction devices integrated with CMOS.
  7. Augusto, Carlos J. R. P.; Forester, Lynn, Method of fabricating heterojunction photodiodes integrated with CMOS.
  8. Augusto, Carlos J. R. P.; Forester, Lynn, Method of fabricating heterojunction photodiodes with CMOS.
  9. Mitra,Pradip, Planar geometry buried junction infrared detector and focal plane array.

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