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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0192097 (1998-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 2 |
Thermoelectric elements for use in a thermoelectric device. The thermoelectric elements have a very large number of alternating layers of semiconductor material deposited on a very thin flexible substrate. The layers of semiconductor material alternate between barrier semiconductor material and cond
[ We claim:] [22.] A method of making thermoelectric elements comprising the steps of depositing on a thin substrate of electrically insulating material having a thickness of less than 20 mills, a plurality of very thin alternating layers of at least two different semiconductor materials, the first
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