최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0977771 (1992-11-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2 |
A method for solid state formation of diamond includes providing a diamond growth substrate, such as single-crystal silicon, forming on the diamond growth substrate an alloy of carbon and a metal which permits carbon to exist in a matrix therein, and causing carbon atoms from the alloy to precipitat
[ What is claimed is:] [1.] A method for solid-state formation of diamond, comprising the steps of:(a) providing a diamond growth substrate;(b) forming a metal-carbon alloy on said diamond growth substrate which permits carbon to exist in a metal matrix therein; and(c) causing carbon atoms from said
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.