최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0383753 (1999-08-26) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 15 |
Interconnects in porous dielectric materials are coated with a SiC-containing material to inhibit moisture penetration and retention within the dielectric material. Specifically, SiC coatings doped with boron such as SiC(BN) show particularly good results as barrier layers for dielectric interconnec
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor comprising:a substrate having a conductor;a dielectric formed on the substrate, said dielectric made from a porous material having a via extending through the dielectric and exposing a surface of the conductor;a silicon carbide-containing coating deposited
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.