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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0047441 (1998-03-25) |
우선권정보 | JP-0253459 (1997-09-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 9 |
A polysilicon gate layer, a first n.sup.+ diffusion region serving as a drain region, and a second n.sup.+ diffusion region serving as a source region form a MOSFET, and then an operating point of the MOSFET is set into its saturation region by connecting a gate layer and a drain region of the MOSFE
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor temperature sensor comprising:(a) a semiconductor substrate of first conductivity type;(b) a first semiconductor region of second conductivity type formed on the semiconductor substrate;(c) a second semiconductor region of second conductivity type formed o
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