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특허 상세정보

Method of producing single-crystal silicon carbide

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-017/00   
미국특허분류(USC) 11/7105 ; 11/710.9 ; 11/791.5
출원번호 US-0049979 (1998-03-30)
우선권정보 JP-0163087 (1997-06-19)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Pillsbury, Madison & Sutro, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 7
초록

A (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is formed on a (111) silicon wafer, and then the silicon wafer is removed. Thus prepared (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is disposed in a graphite crucible to function as a seed crystal. Silicon carbide source material powder is also held in the graphite crucible and sublimated in an atmosphere including inert gas, while controlling a temperature of the (111) cubic silicon carbide single-crystal layer to be lower than a temperature of the silicon carbide source material powder. As a resu...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of producing .alpha.-type single-crystal silicon carbide, comprising:forming a (111) cubic silicon carbide single-crystal layer, which functions as a seed crystal, on a (111) silicon single-crystal substrate; andforming the .alpha.-type single-crystal silicon carbide on the (111) cubic silicon carbide single-crystal layer by sublimating a silicon carbide source material,wherein a thickness of the (111) silicon single-crystal substrate is larger than approximately 1 mm.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 22

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  2. Schmitt, Jason; Lu, Peng; Jones, Jeremy. Bulk diffusion crystal growth of nitride crystal. USP2018019856577.
  3. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same. USP2016039275762.
  4. Katoh, Nobuyuki. Cruicible and growth method for polycrystal silicon using same. USP2004066743293.
  5. Seo, Soo-Hyung; Song, Joon-Suk; Oh, Myung-Hwan. Growing method of SiC single crystal. USP2010087767021.
  6. Ueda,Tetsuzo. Layered substrates for epitaxial processing, and device. USP2007047198671.
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