$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method of producing single-crystal silicon carbide

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-017/00
출원번호 US-0049979 (1998-03-30)
우선권정보 JP-0163087 (1997-06-19)
발명자 / 주소
  • Kito Yasuo,JPX
  • Kotanshi Youichi,JPX
  • Onda Shoichi,JPX
  • Hanazawa Tatuyuki,JPX
  • Kitaoka Eiji,JPX
출원인 / 주소
  • Denso Corporation, JPX
대리인 / 주소
    Pillsbury, Madison & Sutro, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 7

초록

A (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is formed on a (111) silicon wafer, and then the silicon wafer is removed. Thus prepared (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is disposed in a graphite crucible to function as a seed crystal. Silicon carbide source material powder is als

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of producing .alpha.-type single-crystal silicon carbide, comprising:forming a (111) cubic silicon carbide single-crystal layer, which functions as a seed crystal, on a (111) silicon single-crystal substrate; andforming the .alpha.-type single-crystal silicon car

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Vodakov Jury A. (prospekt Engelsa ; 69/1 ; kv. 35 Leningrad SU) Mokhov Evgeny N. (prospekt Energetikov ; 54 ; korpus 2 ; kv. 59 Leningrad SU), Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition techniqu.
  2. Burk ; Jr. Albert A. (Murrysville PA) Barrett Donovan L. (Penn Hills Township ; Allegheny County PA) Hobgood Hudson M. (Murrysville PA) Clarke Rowland C. (Bell Township ; Westmoreland County PA) Eldr, Method for epitaxially growing aa 상세보기
  • Scholz Christoph (Munich DEX) Koehl Franz (Burghausen DEX) Weber Thomas (Munich DEX), Method for producing a wafer with a monocrystalline silicon carbide layer.
  • Addamiano, Arrigo, Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers.
  • Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Osaka JPX), Process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide.
  • Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX), Sublimation growth of single crystal SiC.
  • Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.
  • 이 특허를 인용한 특허 (22)

    1. Garnier, John E.; Griffith, George W., Boron carbide fiber reinforced articles.
    2. Schmitt, Jason; Lu, Peng; Jones, Jeremy, Bulk diffusion crystal growth of nitride crystal.
    3. Garnier, John E.; Griffith, George W., Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same.
    4. Katoh, Nobuyuki, Cruicible and growth method for polycrystal silicon using same.
    5. Seo, Soo-Hyung; Song, Joon-Suk; Oh, Myung-Hwan, Growing method of SiC single crystal.
    6. Ueda,Tetsuzo, Layered substrates for epitaxial processing, and device.
    7. Garnier, John E., Metal carbide fibers and methods for their manufacture.
    8. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP, Method and apparatus for fabricating high quality single crystal.
    9. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
    10. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
    11. Tsvetkov,Valeri F.; Malta,David P., Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals.
    12. Kuhn, Harald; Stein, Rene; Volkl, Johannes, Method for growing an α-SiC bulk single crystal.
    13. Hori, Tsutomu; Ueta, Shunsaku; Matsushima, Akira, Method for manufacturing silicon carbide single crystal.
    14. Lampert,William V.; Eiting,Christopher J.; Smith,Scott A.; Haas,Trice W., Method of growing homoepitaxial silicon carbide.
    15. Hiromu Shiomi JP; Shigehiro Nishino JP, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
    16. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system.
    17. Garnier, John E.; Griffith, George W., Methods for producing silicon carbide fibers.
    18. Garnier, John E.; Griffith, George W., Methods of producing continuous boron carbide fibers.
    19. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface.
    20. Abbondanza, Giuseppe, Semiconductor wafer and method for manufacturing the same.
    21. Garnier, John E.; Griffith, George W., Silicon carbide fibers and articles including same.
    22. Torimi, Satoshi; Nogami, Satoru; Matsumoto, Tsuyoshi, Unit for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide.
    섹션별 컨텐츠 바로가기

    AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

    AI-Helper 아이콘
    AI-Helper
    안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
    ※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

    선택된 텍스트