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특허 상세정보

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Method of producing single-crystal silicon carbide

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-017/00   
미국특허분류(USC) 11/7105 ; 11/710.9 ; 11/791.5
출원번호 US-0049979 (1998-03-30)
우선권정보 JP-0163087 (1997-06-19)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Pillsbury, Madison & Sutro, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 7
초록
▼

A (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is formed on a (111) silicon wafer, and then the silicon wafer is removed. Thus prepared (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is disposed in a graphite crucible to function as a seed crystal. Silicon carbide source material powder is also held in the graphite crucible and sublimated in an atmosphere including inert gas, while controlling a temperature of the (111) cubic silicon carbide single-crystal layer to be lower than a temperature of the silicon carbide source material powder. As a resu...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of producing .alpha.-type single-crystal silicon carbide, comprising:forming a (111) cubic silicon carbide single-crystal layer, which functions as a seed crystal, on a (111) silicon single-crystal substrate; andforming the .alpha.-type single-crystal silicon carbide on the (111) cubic silicon carbide single-crystal layer by sublimating a silicon carbide source material,wherein a thickness of the (111) silicon single-crystal substrate is larger than approximately 1 mm.

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Vodakov Jury A. (prospekt Engelsa ; 69/1 ; kv. 35 Leningrad SU) Mokhov Evgeny N. (prospekt Energetikov ; 54 ; korpus 2 ; kv. 59 Leningrad SU). Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition techniqu. USP1979044147572.
  2. Burk ; Jr. Albert A. (Murrysville PA) Barrett Donovan L. (Penn Hills Township ; Allegheny County PA) Hobgood Hudson M. (Murrysville PA) Clarke Rowland C. (Bell Township ; Westmoreland County PA) Eldr. Method for epitaxially growing aa
  3. Scholz Christoph (Munich DEX) Koehl Franz (Burghausen DEX) Weber Thomas (Munich DEX). Method for producing a wafer with a monocrystalline silicon carbide layer. USP1995125471946.
  4. Addamiano, Arrigo. Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers. USP1985124556436.
  5. Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Osaka JPX). Process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide. USP1991085037502.
  6. Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX). Sublimation growth of single crystal SiC. USP1995085441011.
  7. Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC). Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide. USP1989094866005.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 22

  1. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Boron carbide fiber reinforced articles. USP20190210208238.
  2. Schmitt, Jason; Lu, Peng; Jones, Jeremy. Bulk diffusion crystal growth of nitride crystal. USP2018019856577.
  3. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same. USP2016039275762.
  4. Katoh, Nobuyuki. Cruicible and growth method for polycrystal silicon using same. USP2004066743293.
  5. Seo, Soo-Hyung; Song, Joon-Suk; Oh, Myung-Hwan. Growing method of SiC single crystal. USP2010087767021.
  6. Ueda,Tetsuzo. Layered substrates for epitaxial processing, and device. USP2007047198671.
  7. Garnier, John E.. Metal carbide fibers and methods for their manufacture. USP2017109803296.
  8. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP. Method and apparatus for fabricating high quality single crystal. USP2002096451112.
  9. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal. USP2004096797060.
  10. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal. USP2003026514338.
  11. Tsvetkov,Valeri F.; Malta,David P.. Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals. USP2008067387680.
  12. Kuhn, Harald; Stein, Rene; Volkl, Johannes. Method for growing an α-SiC bulk single crystal. USP2004026689212.
  13. Hori, Tsutomu; Ueta, Shunsaku; Matsushima, Akira. Method for manufacturing silicon carbide single crystal. USP20190110184191.
  14. Lampert,William V.; Eiting,Christopher J.; Smith,Scott A.; Haas,Trice W.. Method of growing homoepitaxial silicon carbide. USP200707H002193.
  15. Hiromu Shiomi JP; Shigehiro Nishino JP. Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal. USP2002056391109.
  16. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F.. Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system. USP2017109790619.
  17. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Methods for producing silicon carbide fibers. USP2016039272913.
  18. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Methods of producing continuous boron carbide fibers. USP2015129199227.
  19. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F.. Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface. USP2015129200381.
  20. Abbondanza, Giuseppe. Semiconductor wafer and method for manufacturing the same. USP2017029576793.
  21. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Silicon carbide fibers and articles including same. USP2015018940391.
  22. Torimi, Satoshi; Nogami, Satoru; Matsumoto, Tsuyoshi. Unit for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide. USP2016029252206.

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