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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0049979 (1998-03-30) |
우선권정보 | JP-0163087 (1997-06-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 7 |
A (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is formed on a (111) silicon wafer, and then the silicon wafer is removed. Thus prepared (111) cubic silicon carbide single-crystal layer is disposed in a graphite crucible to function as a seed crystal. Silicon carbide source material powder is als
[ What is claimed is:] [1.] A method of producing .alpha.-type single-crystal silicon carbide, comprising:forming a (111) cubic silicon carbide single-crystal layer, which functions as a seed crystal, on a (111) silicon single-crystal substrate; andforming the .alpha.-type single-crystal silicon car
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