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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0978364 (1997-11-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2 |
Compounds of the general formula Ca.sub.2 MeSbO.sub.6 where Me is a 3+ ion selected from the group consisting of aluminum (Al), scandium (Sc), indium (In), gallium (Ga), or a rare earth metal have been prepared and included as the substrate or barrier dielectric in high critical temperature thin fil
[ What we claim is:] [1.] A dielectric substrate of the formula Ca.sub.2 AlSbO.sub.6, comprising:said dielectric substrate having a dielectric constant of 9.5;said dielectric substrate being sintered between 1400.degree. and 1550.degree. C. or 20-60 hours;said dielectric substrate having a loss tang
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