[특허]Overcurrent protection device

Raychem Limited, GBX

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Overcurrent protection device

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H02H-009/00
미국특허분류(USC)	36/1058
출원번호	US-0084255 (1993-07-07)
우선권정보	GB-0000283 (1991-01-07)
국제출원번호	PCT/GB92/00027 (1992-01-07)
§371/§102 date	19930707 (19930707)
국제공개번호	WO-9212561 (1992-07-23)
발명자 / 주소	Atkins Ian Paul,GBX Williams David Mansel,GBX Pryor Dennis Malcolm,GBX
출원인 / 주소	Raychem Limited, GBX
인용정보	피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 24

초록
▼

A two terminal circuit protection arrangement that: (1) is intended to be series connected in a line of the circuit; (2) comprises (a) a series switching transistor (1) that controls the line current, (b) a control transistor (4) that controls the base or gate voltage of the switching transistor and is responsive to an overcurrent through the switching transistor, and (c) a voltage source, for example a battery (3), a dc-dc converter (58/59) or a Seebeck device (43), applied to the base or gate of the switching transistor which biases the switching transistor into or toward conduction in normal operation; and (3) is capable of being remotely reset into a conducting state by stopping current in the line. The arrangement enables the initial voltage drop that is required to turn the switching transistor (1) on to be reduced or eliminated while requiring relatively little current from the voltage source. The arrangement can be reset remotely by briefly removing the voltage source or load from the circuit.

대표
청구항
▼

[ What is claimed is:] [1.] A two terminal circuit protection arrangement which:(1) is intended to be series connected in a line of a circuit to be protected;(2) comprises:(a) a series switching transistor whichi. is selected from bipolar transistors and field effect transistors and(i) if it is a bipolar transistor, comprises a collector, an emitter and a base, and(ii) if it is a field effect transistor, comprises a drain, a source and a gate, andii. controls the line current;(b) a voltage divider which is connected to the source and drain or to the emitter and collector of the switching transistor, and(c) a control transistor whichi. is selected from bipolar transistors and field effect transistors, and(i) if it is a bipolar transistor, comprises a collector, an emitter and a base, and(ii) if it is a field effect transistor, comprises a drain, a source and a gate,ii. has its base or gate voltage determined by the voltage divider,iii. controls the base or gate voltage of the switching transistor, andiv. is turned on by a voltage across the collector and emitter or source and drain of the switching transistor resulting from an overcurrent through the switching transistor, thereby causing the switching transistor to put the arrangement in a non-conducting state, and(d) a voltage source which is applied to the base or gate of the switching transistor and which biases the switching transistor into or toward conduction in normal operation; and(3) is capable of being reset from the non-conducting state into a conducting state by a remotely controlled interrupting means which interrupts current in the line of the circuit to be protected.

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