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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0318405 (1999-05-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 3 |
A ferroelectric memory cell for storing information and a method for fabricating the same. The information is stored in the remnant polarization of a ferroelectric dielectric layer by setting the direction of the remnant polarization. The ferroelectric memory cell is designed to store the informatio
[ What is claimed is:] [1.] A ferroelectric memory cell for storing information, said memory cell operating to store said information at a temperature less than a first temperature, said memory cell being subjected to an annealing operation in the presence of hydrogen at a second temperature and a p
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