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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0224983 (1999-01-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 8 |
A method of forming a copper conductor for a thin film electronic device comprises: forming layers over a conductor into a stack of barrier layer superjacent on top of the substrate, a copper layer on top of the barrier layer, and a hard mask layer on top of the copper layer. The forming a mask on t
[ Having thus described the invention, what is claimed as new and desirable to be secured by Letters Patent is as follows:] [1.] A method of forming a copper conductor for a thin film electronic device comprising:forming layers over a conductor into a stack, as follows:a) forming a barrier layer sup
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