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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0192534 (1998-11-17) |
우선권정보 | JP-0317499 (1997-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 6 |
A polymer of parylene is desirable as an inter-level insulating layer in semiconductor circuits because of its small dielectric constant. However, dimers and monomers of parylene in the source gas are taken into the deposited polymer layer during the deposition. These residual dimers and monomers ou
[ What is claimed is:] [1.] A process for fabricating a semiconductor device, comprising the steps of:a) preparing a semiconductor structure having a first layer;b) supplying a gas source over said first layer so as to form a polymer mainly consisting of paraylene over said first layer;c) releasing
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