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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0192125 (1998-11-13) |
우선권정보 | KR-0010604 (1996-04-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 70 인용 특허 : 21 |
Methods of forming semiconductor-on-insulator substrates include the steps of forming a underlying semiconductor layer to electrically interconnect a plurality of SOI active regions and thereby prevent one or more of the active regions from "floating" relative to the other active regions. The reduct
[ That which is claimed is:] [1.] A semiconductor-on-insulator device, comprising:a first electrically insulating layer having a plurality of insulating mesas extending from at a first surface thereof;a first semiconductor layer on the first surface of said first electrically insulating layer;a seco
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