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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0291042 (1999-04-14) |
우선권정보 | JP-0083455 (1995-03-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 3 |
A semiconductor device includes a semiconductor layer used as a substrate formed on an insulating film, a plurality of MOS transistors arranged on the semiconductor layer and each having a gate, a source, and a drain, a pair of MOS transistors of the plurality of MOS transistors constituting a detec
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device, comprising:a semiconductor layer used as a substrate formed on an insulating film; anda plurality of MOS transistors arranged on said semiconductor layer and each having a gate, a source, and a drain, a pair of MOS transistors of said plurality of
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